2011年度プレス リリース 2010年度プレス リリース 2009年度プレス リリース 2008年度プレス リリース 2007年度プレス リリース メモリ・テスト・システム「T5385」を販売開始 2009年7月28日 DRAMのウエハ試験で業界最多768個の同時試験を実現 株式会社アドバンテスト(本社：東京都千代田区 社長：松野晴夫)は、DRAMのウエハ試験において、業界最多となる768個の同時試験を実現したメモリ・テスト・システム「T5385」を開発し、8月より販売を開始いたします。 開発の背景 パソコンなどに組み込まれているDRAMは、より高速、大容量、低消費電力となる一方で、低価格化も進んでいます。それに伴い、半導体製造の微細化技術は飛躍的に進化しており、ウエハ1枚あたりの生産数も著しく増加しています。したがって、半導体メーカーでは、大幅なスループット向上による試験時間の短縮が課題となっています。 新製品の特長 (1) DRAMのウエハ試験で業界最多768個の同時試験 DRAMのウエハ試験において、従来機種T5383の2倍となる業界最多の768個の同時試験を実現しました。大幅な同時試験数の増加により、ウエハ量産時におけるテスト・コスト削減に大きく貢献します。さらに、多様化するDRAMに対して、このT5385はテスタ・ピンを柔軟に割り当てられる構造を持ち、ピンリソースの最適化による試験が可能となります。 (2) MRAの高速処理化 ハードウエアとソフトウエア双方を見直し改善することで、DRAMおよびフラッシュ・メモリのウエハ試験におけるMRA（メモリ・セル救済解析装置）の高速処理化を実現しました。MRA強化により、従来機種T5383と比較して、テスト時間を約30%短縮できます。 (3) フラッシュ・メモリの試験機能を強化 当社が従来から培ってきたフラッシュ・メモリの試験機能に加え、さらに、フラッシュ・メモリの試験に適したパーサイト・アーキテクチャーを採用しました。これにより、フラッシュ・メモリのウエハ試験におけるテスト時間の短縮が可能となります。 (4) DRAM開発向けメモリ・テスト・システムT5385ESを同時発売 当社では、DRAMのウエハ量産試験向けメモリ・テスト・システムT5385と合わせて、DRAMの開発工程での試験に適したメモリ・テスト・システムT5385ESを発売します。T5385ESはコンパクトなため、エンジニアが手元で簡単にデバイスを評価できます。さらに、T5385ESで開発したテスト・プログラムをT5385へ展開できるため、シームレスな開発が可能となります。 主な仕様 測定対象デバイス ： DDR3/DDR2-SDRAM、NAND/NOR FLASHメモリ 他 同時試験個数 ： T5385 ： 768個 (x4 I/O) T5385ES ： 12個 (x4 I/O) 最大試験速度 ： 266MHz/533Mbps 製品に関するお問い合わせ先 営業本部 販売戦略統括部 電話：03-3214-7505 ※本ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報であり、時間の経過または様々な事象により予告無く変更される可能性がありますので、あらかじめご了承ください。 2009年度プレスリリースへ戻る

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