当社はこのたび、DRAM、SDRAM、DDR　SDRAMなどの汎用メモリーの前工程試験およびフラッシュ・メモリーの後工程試験向けに、143MHz/286MHzの高速試験においても一度に256個同時測定可能なメモリ・テスト・システム「T5377」を開発し、販売を開始しました。
また当社は、当製品を本年12月3日〜5日に幕張メッセで開催される「セミコン・ジャパン2003」に出品いたします。

携帯電話やノート型パソコンなどのデジタル製品の小型化、高性能化を実現するため、高性能かつ高機能なマルチ・チップ・モジュール（MCM）の需要が高まっております。MCMの生産歩留まりを高めるには、組み込まれる個々の半導体をウェハー状態で正確に試験しなければなりません。特に搭載比率の高いDRAMについては、その生産コスト低減のために300mmウェハー化やシュリンクによる微細化などが進むとともに、試験コストを削減するために多数個のデバイスを同時に高速で試験できるソリューションが求められています。しかし、従来機のT5375では、高速DRAMメモリーの前工程試験において、試験速度の高速化にともない同時測定個数の低下を招いておりました。

このたび発売した「T5377」は、従来の不良解析機能を改良した新アーキテクチャを採用し、PC133／266などの高速DRAMメモリーでも、143MHz/286MHzのフルスピードで、最大256個を同時試験（従来比で最大４倍）できるのが特長です。また、試験したデバイスの良否判定結果を記憶する容量（アドレス・フェイル・メモリ）を従来比約6倍の128Gb(ギガ・ビット)へと大幅に拡張しました。 これにより、2GbのDRAM、4GbのNAND型フラッシュメモリーなど、より大容量化、高密度化するメモリーデバイスの不良解析に対応しました。

「T5377」は、全ての主要DRAMメーカーで採用された従来機T5375と完全互換を実現しておりますので、テスト・プログラムやプローブカードなど、お客様の資産をそのまま継承可能です。従って、機種変更に伴う相関確認などに手間を掛けることなく、最小の工数で移行可能です。